国内刊号:11-1804/O6
国际刊号:0441-3776
发布日期:
作者:罗河伟,李乐琦,马贺,王诗文
关键词:有机场效应晶体管,萘二酰亚胺,核位修饰,硒杂环,
基金:国家自然科学基金项目(21602208)和河南省科技厅科技攻关项目(182102210616)资助
萘二酰亚胺(NDI)类化合物由于其较好的平面性和较强的接受电子能力,被广泛应用于有机场效应晶体管(OFETs)和有机太阳能电池中(OSCs)。然而,高迁移率的n型和双极性NDI类半导体材料较少。基于此,本文设计合成了核位硒杂环修饰的NDI衍生物,通过引入1,2-二硒苯和1,2-二硒萘基团,对其能级进行了有效的调控,获得了两个新型的窄带隙NDI衍生物。通过溶液旋涂法,制备了两种材料的底栅底接触场效应晶体管器件,二者在空气中都表现出n型半导体特性,退火温度为120℃时性能达到最优,分别为1×10-3cm2·V-1·s-1(4)和5×10-3cm2·V-1·s-1(5)。同时,通过原子力显微镜和X射线衍射对材料薄膜的退火过程进行了研究。
来源:2021年第1期
《化学通报》期刊编辑部