化学通报

作者：李金贵,吴昊天,郭晨曦,何齐升,牛凤延,王 岳,雷伟岩,李佳双,沈毅

单位：华北理工大学材料科学与工程学院,华北理工大学矿业工程学院

关键词：反尖晶石结构,Mg2SnO4系长余辉材料,离子掺杂,应用进展,

基金：国家自然科学基金项目(51772099)资助

Mg2SnO4具有典型的反尖晶石结构，由于存在大量缺陷，非常适合作为长余辉材料的基质材料，而且其成本低，结构稳定光学性能优异，应用前景非常广泛。通过在反尖晶石结构的Mg2SnO4材料中掺杂不同离子可以制备出不同性质的长余辉材料。本文主要介绍了Mg2SnO4系长余辉材料的常用的制备工艺方法和发光机理，从离子掺杂的角度分析其性能，并对反尖晶石结构的Mg2SnO4系长余辉材料在防伪、信息存储、成像等方面的应用现状进行了综述和展望。

来源：2023年第11期

《化学通报》期刊编辑部

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