化学通报

作者：冀程亮,吴俊凯,谢海滢,赵苏杭,赵志国,马兰超

关键词：三(五氟苯基)硼烷,掺杂,有机/高分子半导体,掺杂机理,功能器件,

基金：北京市教委优秀青年人才培育计划项目(BPHR202203093)、北京市科学技术协会青年人才托举工程项目(BYESS2023089)、北京市自然科学基金青年项目(2174074)和北京市教委科技计划一般项目(KM201910017003)资助

有机/高分子共轭聚合物的结构设计是制备高性能有机半导体的有效策略,但该过程存在着设计合成周期长、制备步骤复杂和产率偏低等问题。为了克服这些问题,近年来人们越来越关注对有机/高分子半导体的掺杂。然而,传统电荷转移掺杂剂(如卤族单质I2、金属氧化物Fe3O4、小分子F4TCNQ等)存在掺杂效率低,溶解度差和掺杂条件苛刻等问题。相比之下,三(五氟苯基)硼烷具有溶解度高、掺杂效率高、广泛适应性等优点。本文结合相关文献综述了三(五氟苯基)硼烷掺杂有机半导体的物理机制,并探讨了掺杂有机半导体的性质。此外,本文还总结了三(五氟苯基)硼烷掺杂在不同光电功能器件中的应用并明确了今后的研究方向。

来源：2024年第5期

《化学通报》期刊编辑部

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